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 Metal-Induced Oxygen Vacancy Control in InGaZnO/Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric Field-Effect Transistor Arrays for Simultaneous Improvement of Memory Window and Electrical Stability 相关领域
材料科学
铁电性
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光电子学
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铟
铁电电容器
场效应晶体管
氧化物
电极
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电容器
磁滞
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电子工程
空位缺陷
可扩展性
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图层（电子）
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期刊：ACS Nano 作者：Jae Seong Han; Kyungmoon Kwak; Subi Choi; Ju Hyun Lee; Nam Su Heo; et al 出版日期：2026-01-07 |
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