Ferroelectric hafnium oxide: A CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories

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标题	Ferroelectric hafnium oxide: A CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories
网址	https://doi.org/10.1109/iedm.2013.6724605
DOI	10.1109/iedm.2013.6724605 doi
其它	期刊：作者：Johannes Müller; T. S. Böscke; Stefan Müller; Ekaterina Yurchuk; P. Polakowski; et al 出版日期：2013-12-01
求助人	Mercury 在 2026-09-18 00:17:11 发布自广东，悬赏 10 积分
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