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2.7 kV E-Mode Multichannel GaN-on-Si Based on p-Type NiO/SiO2 Junction Tri-Gate |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Amirhossein Esteghamat; Zheng Hao; M. Rezaei; Walid El Huni; Huseyin Cakmak; et al 出版日期:2025-09-01 |
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(2025-6-4)