A novel theoretical model for the temperature dependence of band gap energy in semiconductors

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标题	A novel theoretical model for the temperature dependence of band gap energy in semiconductors 半导体带隙能量温度依赖性的新理论模型相关领域半导体带隙材料科学凝聚态物理工程物理能量（信号处理）光电子学物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa85ad
DOI	10.1088/1361-6463/aa85ad doi
其它	期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Peiji Geng; Weiguo Li; Xianhe Zhang; Xuyao Zhang; Yong Deng; et al 出版日期：2017-08-11
求助人	洛苏在 2025-12-25 22:32:59 发布自广东，悬赏 10 积分
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