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 Low-damage interface enhancement-mode AlN/GaN high electron mobility transistors with 41.6% PAE at 30 GHz 30 GHz PAE为41.6%的低损伤界面增强模式AlN/GaN高电子迁移率晶体管
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
跨导
光电子学
晶体管
饱和电流
无线电频率
功率密度
阈值电压
功率（物理）
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电气工程
物理
量子力学
工程类
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期刊：Chinese Physics B 作者：Si-Yu 思雨 Liu 刘; Jie-Jie 杰杰 Zhu 祝; Jing-Shu 静姝 Guo 郭; Kai 凯 Cheng 程; Min-Han 珉瀚 Mi 宓; et al 出版日期：2023-05-25 |
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