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标题
Low-damage interface enhancement-mode AlN/GaN high electron mobility transistors with 41.6% PAE at 30 GHz
30 GHz PAE为41.6%的低损伤界面增强模式AlN/GaN高电子迁移率晶体管
相关领域
材料科学 高电子迁移率晶体管 跨导 光电子学 晶体管 饱和电流 无线电频率 功率密度 阈值电压 功率（物理） 电压 电气工程 物理 量子力学 工程类
网址
https://doi.org/10.1088/1674-1056/acd8a5
DOI
10.1088/1674-1056/acd8a5 doi
其它 期刊：Chinese Physics B
作者：Si-Yu 思雨 Liu 刘; Jie-Jie 杰杰 Zhu 祝; Jing-Shu 静姝 Guo 郭; Kai 凯 Cheng 程; Min-Han 珉瀚 Mi 宓; et al
出版日期：2023-05-25
求助人
zhx 在 2025-12-04 13:14:48 发布自浙江，悬赏 10 积分
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