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  Reduction of dislocation density in α-Ga2O3 epilayers via rapid growth at low temperatures by halide vapor phase epitaxy 卤化物气相外延低温快速生长降低α-Ga2O3外延层位错密度
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期刊：Applied Physics Express 作者：Yuichi Oshima; Hiroyuki Ando; Takashi Shinohe 出版日期：2023-06-01 |
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