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 Dipole Material-Independent Carrier Mobility in Dipole-First nMOS Gate Stack and Introduction of Multi-Vt Patterning-Tolerant Dipole-Middle Integration for NS/CFET 相关领域
NMOS逻辑
堆栈（抽象数据类型）
材料科学
光电子学
物理
电子迁移率
偶极子
电气工程
电子工程
晶体管
硅
逻辑门
工作（物理）
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期刊：2026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：H. Arimura; L. Lukose; J. Stiers; S. Brus; J. Franco; et al 出版日期：2026-06-14 |
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