Effect of dopant boundary conditions on crystal resistivity during floating zone growth of silicon crystals

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标题	Effect of dopant boundary conditions on crystal resistivity during floating zone growth of silicon crystals
网址	https://www.researchgate.net/doi/10.13140/RG.2.2.36099.11043
DOI	10.13140/rg.2.2.36099.11043 doi
其它	期刊：Unpublished 作者：Staņislavs Luka Stroževs; Kirils Surovovs; Janis Virbulis 出版日期：2023-01-01
求助人	车车在 2026-08-20 10:34:08 发布自陕西，悬赏 10 积分
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