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Hole Generation in Polarization‐Doped AlxGa1–xN (x = 0.9–0.35)‐Graded Layer with Heavily Mg‐Doped Al0.35Ga0.65N Contact Layer for 275 nm Deep‐Ultraviolet Light‐Emitting Diode |
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期刊:Physica Status Solidi A-applications and Materials Science 作者:Hayata Takahata; T. Kachi; Naoki Hamashima; Ryunosuke Oka; Hisanori Ishiguro; et al 出版日期:2024-06-05 |
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