$\hbox{Ga}_{2} \hbox{O}_{3}$ Schottky Barrier Diodes Fabricated by Using Single-Crystal $\beta$– $\hbox{Ga}_{2} \hbox{O}_{3}$ (010) Substrates

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标题	$\hbox{Ga}_{2} \hbox{O}_{3}$ Schottky Barrier Diodes Fabricated by Using Single-Crystal $\beta$– $\hbox{Ga}_{2} \hbox{O}_{3}$ (010) Substrates
网址	https://doi.org/10.1109/led.2013.2244057
DOI	10.1109/led.2013.2244057 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Kohei Sasaki; Masataka Higashiwaki; Akito Kuramata; Takekazu Masui; Shigenobu Yamakoshi 出版日期：2013-03-21
求助人	鱼y 在 2026-07-15 15:18:03 发布自山东，悬赏 10 积分
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