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 Common Defects Accelerate Charge Carrier Recombination in CsSnI3 without Creating Mid-Gap States 常见缺陷加速CsSnI3中载流子复合而不产生中间能隙态
相关领域
载流子
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化学物理
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期刊：Journal of Physical Chemistry Letters 作者：Yifan Wu; Weibin Chu; Andrey S. Vasenko; Oleg V. Prezhdo 出版日期：2021-09-02 |
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