| 标题 |
 Selective Area Growth of GaN Nanowire: Partial Pressures and Temperature as the Key Growth Parameters GaN纳米线的选择性区域生长：分压和温度作为关键生长参数
相关领域
纳米线
化学气相沉积
材料科学
汽-液-固法
形态学（生物学）
分压
增长率
纳米技术
大气温度范围
光电子学
化学物理
化学工程
化学
热力学
有机化学
氧气
物理
工程类
几何学
生物
遗传学
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Crystal Growth & Design 作者：Sonachand Adhikari; Mykhaylo Lysevych; C. Jagadish; Hark Hoe Tan 出版日期：2022-08-08 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
Criminology34
GingerF
ASD
David
你嵙这个期刊没买
竹筏过海
WB87
寻道图强
tuanheqi
优美的小笨蛋
嘻嘻哈哈
Progie
ccm
elliotzzz
从容芮
Mollyxueyue
wlscj
风清扬
erg
xxfsx
ho
正己化人
YifanWang
皖公网安备34019202002308
