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标题
An analytical I-V model of SiC double-gate junctionless MOSFETs
SiC双栅无结MOSFET的I-V解析模型
相关领域
双闸门 MOSFET 材料科学 光电子学 工程物理 电气工程 物理 工程类 晶体管 电压
网址
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2024.106445
DOI
10.1016/j.mejo.2024.106445 doi
其它 期刊：Microelectronics Journal
作者：Yi Li; Tao Zhou; Zixuan Guo; Yuqiu Yang; Junyao Wu; et al
出版日期：2024-10-28
求助人
强哥 在 2025-12-03 18:43:21 发布自河北，悬赏 10 积分
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