An analytical I-V model of SiC double-gate junctionless MOSFETs

双闸门 MOSFET 材料科学 光电子学 工程物理 电气工程 物理 工程类 晶体管 电压
作者
Yi Li,Tao Zhou,Zixuan Guo,Yuqiu Yang,Junyao Wu,Huan Cai,Jun Wang,Jungang Yin,Wenqing Huang,Miao Zhang,Nan Hou,Qin Liu,Linfeng Deng
出处
期刊:Microelectronics Journal [Elsevier BV]
卷期号:154: 106445-106445 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.mejo.2024.106445
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