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 A Trench and Field Limiting Rings Co-Assisted JTE Termination With N-P-N Sandwich Epitaxial Wafers for 4H-SiC Devices 用于4 H-SiC器件的槽道和场限制环共同辅助JTE端接与N-P-N三明治式磊晶片
相关领域
沟槽
限制
光电子学
材料科学
薄脆饼
外延
碳化硅
领域（数学）
硅
工程物理
纳米技术
复合材料
物理
工程类
机械工程
纯数学
图层（电子）
数学
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(2025-6-4)
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