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 Direct Integration of Polycrystalline Diamond With 3C‐SiC for Enhanced Thermal Management in GaN HEMTs: Impact of Grain Structure and Interface Engineering 多晶金刚石与3C-SiC直接集成增强GaN HEMTs热管理：晶粒结构和界面工程的影响
相关领域
材料科学
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工程物理
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期刊：Advanced Materials Technologies 作者：Chiharu Moriyama; Zhe Cheng; Zifeng Huang; Yutaka Ohno; Koji Inoue; et al 出版日期：2025-07-10 |
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