| 标题 |
  Efficiency improvement by using metal–insulator-semiconductor structure in InGaN/GaN micro-light-emitting diodes 金属——绝缘体——半导体结构提高InGaN/GaN微发光二极管的效率
相关领域
光电子学
材料科学
电致发光
发光二极管
量子效率
半导体
二极管
制作
电极
阳极
阴极
绝缘体（电）
纳米技术
电气工程
图层（电子）
医学
化学
替代医学
工程类
物理化学
病理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Frontiers of Optoelectronics 作者：Jian Yin; David Hwang; Hossein Zamani Siboni; Ehsanollah Fathi; Reza Chaji; et al 出版日期：2024-03-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
东风
cdercder
上岸
Nole
Criminology34
GingerF
学术文献互助
渡人舟
东方元语
aajhajkahna
OK
有人
嘻嘻哈哈
那时花开
ming2026
xing_xing
Essence
mmyhn
酒精过敏
皖公网安备34019202002308
