| 标题 |
 Charge trapping in 0.1 μm AlGaN/GaN RF HEMTs: Dependence on barrier properties, voltage and temperature 0.1 μ m AlGaN/GaN射频HEMT中的电荷俘获：对势垒性质、电压和温度的依赖性
相关领域
俘获
材料科学
阈值电压
光电子学
泄漏（经济）
铝
压力（语言学）
晶体管
电压
电气工程
复合材料
哲学
宏观经济学
经济
工程类
生物
语言学
生态学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Microelectronics Reliability 作者：Francesca Chiocchetta; Carlo De Santi; Fabiana Rampazzo; Matteo Meneghini; Gaudenzio Meneghesso; et al 出版日期：2021-10-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
寻道图强
星辰
ccm
俊俏的紫菜
嘿嘿
无极微光
舒心凡
无情的踏歌
wy.he
CAOHOU
浮游
YifanWang
Ava
sevenhill
忧伤的向日葵
Verity
painting
Jasper
科目三
丘比特
皖公网安备34019202002308
