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标题
Advanced Metal Gate Electrode Options Compatible with ALD and AVD® HfSiOx-Based Gate Dielectrics
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网址
https://doi.org/10.1149/1.2355727
DOI
10.1149/1.2355727 doi
其它 期刊：ECS Transactions
作者：Zia Karim; Olivier Biossiere; C. Lohe; Zhihong Zhang; Woong Park; et al
出版日期：2006-10-20
求助人
Yuksn 在 2025-11-14 15:50:23 发布自福建，悬赏 10 积分
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