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 Effects of AlN/GaN superlattice buffer layer on performances of AlGaN/GaN HEMT grown on silicon for sub-6 GHz applications AlN/GaN超晶格缓冲层对硅上生长的AlGaN/GaN HEMT性能的影响
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Lê Trung Hiếu; Heng‐Tung Hsu; Chung-Han Chiang; Debashis Panda; Ching-Ting Lee; et al 出版日期：2022-12-16 |
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