Engineering shallow and deep level defects in κ-Ga2O3 thin films: comparing metal-organic vapour phase epitaxy to molecular beam epitaxy and the effect of annealing treatments

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标题	Engineering shallow and deep level defects in κ-Ga2O3 thin films: comparing metal-organic vapour phase epitaxy to molecular beam epitaxy and the effect of annealing treatments
网址	https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2024.101463
DOI	10.1016/j.mtphys.2024.101463 doi
其它	期刊：Materials Today Physics 作者：P. Mazzolini; J.B. Varley; A. Parisini; A. Sacchi; M. Pavesi; et al 出版日期：2024
求助人	nightgaunt 在 2026-03-26 13:45:34 发布自湖北，悬赏 10 积分
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