An X-band Low-Noise Amplifier Monolithic Microwave Integrated Circuit with Sub-2 dB Noise Figure Using 0.2 µm Gallium Nitride-on-Silicon Carbide Process

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标题	An X-band Low-Noise Amplifier Monolithic Microwave Integrated Circuit with Sub-2 dB Noise Figure Using 0.2 µm Gallium Nitride-on-Silicon Carbide Process
网址	https://pdf.medrang.co.kr/ASCT/2025/034/ASCT034-01-42.pdf
DOI	10.5757/asct.2025.34.1.42 doi
其它	期刊：Applied Science and Convergence Technology 作者：Sang-Heung Lee; Hokyun Ahn; Hyunwook Jung; Seong-Il Kim; Ilgyu Choi; Dong Min Kang 出版日期：2025-02-05
求助人	Jason 在 2026-04-29 20:23:04 发布自江苏，悬赏 10 积分
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