The influence of V/III ratio on GaN grown on patterned sapphire substrate with low temperature AlN buffer layer by hydride vapor phase epitaxy

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标题	The influence of V/III ratio on GaN grown on patterned sapphire substrate with low temperature AlN buffer layer by hydride vapor phase epitaxy
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002202481...
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2018.07.014 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Nanliu Liu; Qi Wang; Xiaoping Zheng; Shunfeng Li; Yilmaz Dikme; et al 出版日期：2018-08-18
求助人	miracle 在 2026-04-08 21:15:48 发布自江苏，悬赏 10 积分
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