Full-Chip ESD for the Monolithic GaN-Based Gate Driver With Ultra-Low Leakage Current

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标题	Full-Chip ESD for the Monolithic GaN-Based Gate Driver With Ultra-Low Leakage Current
网址	https://doi.org/10.1109/IEDM50572.2025.11353697
DOI	10.1109/IEDM50572.2025.11353697 doi
其它	期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Sheng-Hsi Hung; Po-Jui Chiu; Chi-Yu Chen; Xiao-Quan Wu; Yu-Ting Huang; et al 出版日期：2025
求助人	stop here 在 2026-04-09 15:10:51 发布自湖南，悬赏 10 积分
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