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 GaAs hetero-epitaxial layers grown by MOVPE on exactly-oriented and off-cut (1 1 1)Si: Lattice tilt, mosaicity and defects content MOVPE在精确取向和偏切（1 1 1）Si上生长的GaAs异质外延层：晶格倾斜、镶嵌性和缺陷含量
相关领域
镶嵌
材料科学
金属有机气相外延
外延
退火（玻璃）
衍射
光电子学
结晶学
制作
光学
图层（电子）
化学
纳米技术
病理
复合材料
物理
替代医学
医学
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期刊：Applied Surface Science 作者：N. Lovergine; Ilio Miccoli; L. Tapfer; P. Prete 出版日期：2023-05-29 |
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baz
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