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 基于MOCVD再生长n+ GaN 欧姆接触工艺f T /f max ＞150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究 相关领域
金属有机气相外延
材料科学
光电子学
氮化镓
宽禁带半导体
图层（电子）
纳米技术
外延
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| 其它 |
期刊：红外与毫米波学报 作者：吕元杰; Feng Hong; 宋旭波; 张志荣; 谭鑫; et al 出版日期：2016-10-05 |
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