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[高分]
 Performance Analysis of Impact of Source/Drain Doping Gradients Well as Roll-Off Widths on Gate Induced Drain Leakage of Double Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 相关领域
材料科学
泄漏（经济）
光电子学
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场效应晶体管
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排水诱导屏障降低
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期刊：Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 作者：Parveen Kumar; Sandeep Singh Gill 出版日期：2018-11-01 |
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