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 Achieving a High zTavg in n-Type Sb-Doped Mg2Si0.3Sn0.7 via High-Pressure-Modulated Microstructures 通过高压调制微结构在n型Sb掺杂Mg2Si0.3Sn0.7中实现高zTavg
相关领域
材料科学
高压
兴奋剂
分析化学（期刊）
结晶学
工程物理
光电子学
物理
化学
色谱法
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