Advanced mobility models for design and simulation of deep submicrometer MOSFETs

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文献求助详情

标题	Advanced mobility models for design and simulation of deep submicrometer MOSFETs 用于深亚微米MOSFET设计和模拟的高级迁移率模型
网址	http://www-tcad.stanford.edu/tcad/pubs/theses/aonthesis.pdf
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	能干之卉在 2025-12-18 10:06:44 发布自北京，悬赏 10 积分
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