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 Toward controllable Si-doping in oxide molecular beam epitaxy using a solid SiO source: Application to β -Ga2O3 使用固体SiO源在氧化物分子束外延中的可控Si掺杂：在β-Ga2O3中的应用
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Andrea Ardenghi; Oliver Bierwagen; Andreas Falkenstein; Georg Hoffmann; Jonas Lähnemann; et al 出版日期：2022-07-25 |
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