Thermal properties of Ga2O3 thin films and devices prepared on sapphire and SiC substrates by liquid-injection MOCVD

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标题	Thermal properties of Ga2O3 thin films and devices prepared on sapphire and SiC substrates by liquid-injection MOCVD 液注MOCVD法在蓝宝石和SiC衬底上制备Ga2O3薄膜及器件的热性能相关领域材料科学金属有机气相外延光电子学化学气相沉积蓝宝石制作宽禁带半导体镓带隙氮化镓薄膜纳米技术外延图层（电子）光学冶金物理病理医学替代医学激光器
网址	https://doi.org/10.1117/12.3013087
DOI	10.1117/12.3013087 doi
其它	期刊：作者：Filip Gucmann; M. Ťapajna; K. Hušeková; Edmund Dobročka; A. Rosová; et al 出版日期：2024-03-15
求助人	完美世界在 2025-12-04 13:07:44 发布自山东，悬赏 20 积分
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