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标题
Impact of barrier layer thickness on DC and RF performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
势垒层厚度对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流和射频性能的影响
相关领域
跨导 阻挡层 材料科学 光电子学 高电子迁移率晶体管 晶体管 摩尔分数 阈值电压 图层（电子） 电压 纳米技术 电气工程 化学 物理化学 工程类
网址
https://doi.org/10.1007/s00339-023-06803-x
DOI
10.1007/s00339-023-06803-x doi
其它 期刊：Applied Physics A
作者：Anupama Anand; Khushwant Sehra; Chanchal Saraswat; Reeta; Rakhi Narang; et al
出版日期：2023-07-19
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Ada 在 2025-12-06 15:58:16 发布自重庆，悬赏 10 积分
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