| 标题 |
Delta-doping of GaAs and Al0.33Ga0.67As with Sn, Si and Be: a comparative study Sn、Si和Be δ掺杂GaAs和Al0.33Ga 0.67 As的比较研究
相关领域
兴奋剂
扩散
材料科学
沉积(地质)
三角洲
凝聚态物理
硅
化学物理
矿物学
化学
光电子学
地质学
物理
热力学
古生物学
天文
沉积物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Crystal Growth 作者:J. J. Harris; J. B. Clegg; R B Beall; J. Castagné; K. Woodbridge; et al 出版日期:1991-05-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|