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 Epitaxial growth of Si-doped β-(In x Ga1− x )2O3 thin films grown on (010) β-Ga2O3 substrates via mist chemical vapor deposition 相关领域
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：A. Saito; Giacomo Biasin; Shoma Hosaka; Hiroki Miyake; M. Meneghini; et al 出版日期：2026-11-02 |
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