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 Negative gate-bias temperature stability of N-doped InGaZnO active-layer thin-film transistors N掺杂InGaZnO有源层薄膜晶体管的负栅偏置温度稳定性
相关领域
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材料科学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Jayapal Raja; Kyungsoo Jang; Nagarajan Balaji; Woo-Jin Choi; Thanh Thuy Trinh; et al 出版日期：2013-02-25 |
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