Electrical Characteristics of the 4F2 Vertical Gate (VG) DRAM integrated with Bit Line Shielding (BLS) and Back Gate (BG) Transistor

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标题	[高分] Electrical Characteristics of the 4F2 Vertical Gate (VG) DRAM integrated with Bit Line Shielding (BLS) and Back Gate (BG) Transistor
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11577192/11577120/115772...
DOI	10.1109/vlsitechnologyandcir65830.2026.11577266 doi
其它	期刊：2026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Seung-Wan Chu; J. Cheon; Jin Cho; Eunhyup Doh; Jungmin Han; et al 出版日期：2026-06-14
求助人	Mr_龙在天涯在 2026-09-22 12:07:34 发布自上海，悬赏 60 积分
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