| 标题 |
 Repairing etched sidewall surface of InGaN/GaN micro-light emitting diode through neutral N/H radicals in high vacuums 相关领域
材料科学
电致发光
光电子学
蚀刻（微加工）
二极管
杂质
电流密度
量子效率
发光二极管
宽禁带半导体
镓
化学气相沉积
反应离子刻蚀
各向同性腐蚀
表面改性
费米能级
泄漏（经济）
沉积（地质）
原子层沉积
载流子寿命
反向漏电流
制作
纳米技术
图层（电子）
分析化学（期刊）
光致发光
砷化镓
干法蚀刻
氮化镓
X射线光电子能谱
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Kai Li; Zhi-Qiao Li; Mengjing Jiang; Guobin Wang; Yang Wang; et al 出版日期：2026-07-21 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
v0id
Kao
lixinglei
丰富语蕊
OK
yjh123
yzy
ale
Nole
踏实一德
YjHu
藤藤菜
xing_xing
大力的冬萱
Singularity
奔跑
赵酬海
GingerF
威武无施
arniu2008
皖公网安备34019202002308
