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Top-Gate CVD WSe2 pFETs with Record-High Id~594 μA/μm, Gm~244 μS/μm and WSe2/MoS2 CFET based Half-adder Circuit Using Monolithic 3D Integration 相关领域
晶体管
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电压
核磁共振
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期刊: 作者:Xiong Xiong; Shiyuan Liu; Honggang Liu; Yang Chen; Xinhang Shi; et al 出版日期:2022-12-03 |
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