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 A dual optimization strategy of nucleation layer and V/III ratio for defect suppression in a-plane gallium nitride (GaN) on r-plane sapphire |
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Nor Hapishah; M. Syazwan; A. Shuhaimi; M. I. Mustafa; Norhaniza; et al 出版日期：2026-01-01 |
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