Enhanced Device Characteristics of Hybrid‐Channel (Poly‐Si/IGO) Structures with Ga2O3 and Al2O3 Interlayers by Suppressing Oxidation‐Induced Variability for Ultra‐High‐Density 3D NAND Flash Memory Applications

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标题	Enhanced Device Characteristics of Hybrid‐Channel (Poly‐Si/IGO) Structures with Ga2O3 and Al2O3 Interlayers by Suppressing Oxidation‐Induced Variability for Ultra‐High‐Density 3D NAND Flash Memory Applications 通过抑制超高密度3D NAND闪存应用中氧化诱导的可变性来增强具有Ga2O3和Al2O3夹层的混合沟道（poly-Si/IGO）结构的器件特性
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202510062
DOI	10.1002/adfm.202510062 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Taewon Hwang; Jeongmin Shin; So Young Lim; Sohee Kim; Jae‐Min Sim; et al 出版日期：2025
求助人	LL 在 2025-09-12 18:13:21 发布自湖北，悬赏 30 积分
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