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 Characterization of fully silicided source/drain SOI UTBB nMOSFETs at cryogenic temperatures 低温下全硅化源/漏SOI UTBB NMOSFET的表征
相关领域
跨导
绝缘体上的硅
材料科学
光电子学
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低温
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阈下传导
负偏压温度不稳定性
阈下摆动
电子工程
工程物理
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电压
晶体管
硅
工程类
复合材料
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Yi Han; Fengben Xi; F. Allibert; Ionut Radu; Sławomir Prucnal; et al 出版日期：2022-02-24 |
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miravai
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