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 Heterogeneously-Integrated Gallium Nitride and Indium Phosphide Devices for Ka-band Amplifiers 用于Ka波段放大器的异质集成氮化镓和磷化铟器件
相关领域
磷化铟
Ka波段
光电子学
氮化镓
材料科学
放大器
铟
铟镓氮化物
镓
砷化镓
电气工程
纳米技术
冶金
工程类
CMOS芯片
图层（电子）
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| 其它 |
期刊： 作者：Justin J. Kim; Michael D. Hodge; Mark R. Soler; Florian Herrault; Daniel S. Green; et al 出版日期：2024-06-16 |
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