Heterogeneously-Integrated Gallium Nitride and Indium Phosphide Devices for Ka-band Amplifiers

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标题	Heterogeneously-Integrated Gallium Nitride and Indium Phosphide Devices for Ka-band Amplifiers 用于Ka波段放大器的异质集成氮化镓和磷化铟器件相关领域磷化铟 Ka波段光电子学氮化镓材料科学放大器铟铟镓氮化物镓砷化镓电气工程纳米技术冶金工程类 CMOS芯片图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/rfic61187.2024.10600026
DOI	10.1109/rfic61187.2024.10600026 doi
其它	期刊：作者：Justin J. Kim; Michael D. Hodge; Mark R. Soler; Florian Herrault; Daniel S. Green; et al 出版日期：2024-06-16
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