High-quality (001) β-Ga2O3 homoepitaxial growth by metalorganic chemical vapor deposition enabled by in situ indium surfactant

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标题	High-quality (001) β-Ga2O3 homoepitaxial growth by metalorganic chemical vapor deposition enabled by in situ indium surfactant 相关领域铟金属有机气相外延化学气相沉积外延材料科学亚氧化物解吸带隙薄膜分析化学（期刊）光电子学纳米技术化学硅物理化学图层（电子）吸附色谱法
网址	https://doi.org/10.1063/5.0092754
DOI	10.1063/5.0092754 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Wenbo Tang; Yongjian Ma; Xiaodong Zhang; Xin Zhou; Li Zhang; et al 出版日期：2022-05-23
求助人	直率不乐在 2026-01-19 11:11:59 发布自山东，悬赏 10 积分
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