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 Enhancement of device performance in vertical Au/Ni/β-Ga2O3 Schottky barrier diodes using regularly aligned inner field plates 使用规则排列的内场板提高垂直Au/Ni/β-Ga2O3肖特基势垒二极管的器件性能
相关领域
材料科学
肖特基势垒
光电子学
二极管
金属半导体结
肖特基二极管
领域（数学）
数学
纯数学
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Hoon-Ki Lee; V. Janardhanam; Jae‐Kyoung Mun; Taehoon Jang; Kyu-Hwan Shim; et al 出版日期：2025-02-13 |
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