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Presence of High Density Positive Fixed Charges at ALD–Al2O3/GaN (cap) Interface for Efficient Recovery of 2‐DEG in Ultrathin‐Barrier AlGaN/GaN Heterostructure
超薄势垒AlGaN/GaN异质结构中Ald-Al2O3/GaN(cap)界面存在高密度正固定电荷以有效恢复2-DEG
相关领域
异质结 材料科学 光电子学 宽禁带半导体 固定费用 接口（物质） 凝聚态物理 化学 物理 分子物理学 复合材料 毛细管数 毛细管作用
网址
https://doi.org/10.1002/pssb.202300555
DOI
10.1002/pssb.202300555 doi
其它 期刊：physica status solidi (b)
作者：H. R. Zhang; Sen Huang; Fuqiang Guo; Kexin Deng; Qimeng Jiang; et al
出版日期：2024-06-22
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英姑 在 2025-12-04 14:26:50 发布自江西，悬赏 10 积分
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