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[高分]
  Analytical Threshold Voltage Modeling of Surrounding Gate Silicon Nanowire Transistors with Different Geometries 不同几何形状周围栅极硅纳米线晶体管的解析阈值电压建模
相关领域
材料科学
阈值电压
纳米线
MOSFET
光电子学
栅氧化层
晶体管
硅
反向短通道效应
电压
排水诱导屏障降低
硅纳米线
航程（航空）
频道（广播）
电气工程
工程类
复合材料
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| 其它 |
期刊：Journal of Electrical Engineering and Technology 作者：M. Karthigai Pandian; N. B. Balamurugan 出版日期：2014-11-01 |
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