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 First-principles analysis of MoS2/Ti2C and MoS2/Ti2CY2 (Y = F and OH) all-2D semiconductor/metal contacts MoS2/Ti2C和MoS2/Ti2CY2（Y=F和OH）全二维半导体/金属触点的第一性原理分析
相关领域
肖特基势垒
材料科学
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肖特基二极管
兴奋剂
偶极子
电荷（物理）
费米能级
金属
物理
光电子学
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期刊：Physical Review B 作者：Li-Yong Gan; Yu-Jun Zhao; Dan Huang; Udo Schwingenschlögl 出版日期：2013-06-13 |
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