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 Low Specific Contact Resistivity of 10−3Ω·cm2 for Ti/Al/Ni/Au Multilayer Metals on SI-GaN:Fe Substrate SI-GaN：Fe衬底上Ti/Al/Ni/Au多层金属的低接触电阻率为10−3 Ω·cm2
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分析化学（期刊）
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xianghong Yang; Long Hu; Xin Dang; Xin Li; Weihua Liu; et al 出版日期：2022-09-08 |
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