| 标题 |
 A non-invasive SiC MOSFET Junction temperature estimation method based on the transient light Emission from the intrinsic body diode 相关领域
结温
MOSFET
材料科学
光电子学
二极管
瞬态（计算机编程）
温度测量
发光二极管
电子工程
电压
功率MOSFET
热传导
功率（物理）
电气工程
计算机科学
工程类
晶体管
物理
操作系统
复合材料
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Microelectronics Reliability 作者：G. Susinni; S.A. Rizzo; F. Iannuzzo; A. Raciti 出版日期：2020-10-31 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
null
吃葡萄不吐葡萄皮
Criminology34
GingerF
v0id
学霸业
忧心的曼凝
369ninja
尊嘟假嘟
syvshc
无极微光
Nole
华无剑
guyuming
OK
荼黎
6666
初景
luli
酸味yjm
皖公网安备34019202002308
