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Microstructural properties of SiC thin film deposited by RF sputtering technique and its role on the barrier parameters of n-InP/Pd and n-GaP/Pd junctions as an interlayer 射频溅射沉积SiC薄膜的微观结构特性及其对n-InP/Pd和n-GaP/Pd中间层结势垒参数的作用
相关领域
材料科学
带隙
溅射
薄膜
碳化硅
光电子学
二极管
半导体
纳米技术
复合材料
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期刊:Physica B Condensed Matter 作者:B. Güzeldir; Ali Baltakesmez; M. Sağlam 出版日期:2022-09-30 |
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